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G.Skill DDR2-1066 4096MB PC2-8500 (Kit of 2x2048) (F2-8500CL5D-4GBPI-B) Black BrandG.SKILL ModelF2-8500CL5D-2GBPI Details Capacity4GB (2 x 2GB) Type 240-Pin DDR2 SDRAM Speed DDR2 1066 (PC2 8500) CAS Latency 5 Timing 5-5-5-15 Voltage 2.10V Multi-channel KitDual Channel Kit Heat SpreaderYes Recommend UseHigh Performance or Gaming Memory

Memórias RAM OCZ 1GB (2x512MB) SDRAM DDR500 (PC4000) Dual Channel - OCZ Enhanced Latency 1GB (2x512MB) 184-Pin DDR SDRAM DDR500 (PC4000) Dual Channel Kit System Memory Model OCZ5001024ELDCGE-K - Caixa original Como novo com garantia vitalícia Negócio em mão em Coimbra ou arredores ou envio por correio. Especificações: - Model Brand: OCZ - Series: Enhanced Latency - Model: OCZ5001024ELDCGE-K - Type: 184-Pin DDR SDRAM - Capacity: 1GB (2 x 512MB) - Speed: DDR500 (PC4000) - Cas Latency: 2.5 - Timing: 2.5-4-4-7 - Voltage: 2.8V

Venda de Memórias de 1Gb cada. Compatibility PC Access Time 3 ns memory Specification Compliance PC2-5300 Memory Speed 667 MHz CAS Latency CL5 Data Integrity Check non-ECC Upgrade Type generic ManufacturerSamsung MEMORY Type DRAM Technology DDR2 SDRAM Form Factor DIMM 240-pin Latency Timings CL5 Access Time 3 ns Data Integrity Check non-ECC Module Configuration 128 x 64 Supply Voltage 1.8 V MISCELLANEOUS Compliant Standards RoHS Compliant Standards RoHS EXPANSION / PORT(S) REQUIRED Total Qty 1 Required slot memory Form Factor DIMM 240-pin GENERAL ManufacturerSamsung

Dane-Elec memory - 256 MB - DIMM 168-pin - SDRAM Series Specs Marca: Dane Electronics Memory Speed: 100 MHz Data Integrity Check: Non-ECC TypeDRAM Form Factor: DIMM 168-pin Storage Capacity: 256 MB Unbuffered Chips Organization: 16 x 8 Supply Voltage: 3.3 V Lead Plating: Gold CAS Latency: CL2

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14 unidades em stock Description: HyperX HX426C16FB3/4 is a 512M x 64-bit (4GB) DDR4-2666 CL16 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8, memory module, based on eight 512M x 8-bit FBGA components per module. Each module supports Intel® Extreme Memory Profiles (Intel® XMP) 2.0. Each module has been tested to run at DDR4-2666 at a low latency timing of 16-18-18 at 1.2V. Additional timing parameters are shown in the Plug-N-Play (PnP) Timing Parameters section below Specifications: CL(IDD): 16 cycles Row Cycle Time (tRCmin): 45.75ns(min.) Refresh to active/refresh command time (tRFCmin): 260ns(min.) Row Active Time (tRASmin): 29.25(min.) ULRating: 94 V- 0 Operating Temperature: 0C to + 85C Storage Temperature: -55C to + 100C Features: Power Supply: VDD = 1.2V Typical VDDQ = 1.2V typical VPP = 2.5V Typical VDDSPD = 2.2V to 3.6V On-Die termination (ODT) 16 internal Banks; 4 groups of 4 banks each Bi-Directional Data Strobe 8 bit pre-fetch Burst Lengh (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4 (Burst Chop) Height 1.3425'' (34.1mm), w/heatsink FACTORY TIMING PARAMETERS Default (Plug N Play): DDR4-2666 CL16-18-18 @1.2V XMP Profile #1: DDR4-2666 CL16-18-18 @1.2V 740617296594 296594T2T20000008672911012 4GB Memory Module 99u5702-0.57.A00LF HX426C16FB3/4 4GB DDR4-2666 CL16 288-PinUDIMM 1.2V