Mlc velocidade
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SSD M.2 2280 Samsung 970 Evo Plus 500GB MLC V-NAND NVMe, impecável a funcionar em pleno, com garantia até 28 de Junho de 2021. O motivo da venda deve-se apenas ao facto de querer adquirir um com maior capacidade. Capacidade: 500GB Formato: M.2 2280 Interface: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3 Controladora: Samsung Phoenix NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC Velocidade Sequencial Leitura: Até 3,500 MB/s Velocidade Sequencial Escrita: Até 3,200 MB/s Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 480,000 IOPS Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 550,000 IOPS TBW: 300 TBW
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Caraterísticas - Capacidade: 1 TB - Formato: M.2 2280 - Interface: PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c - Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM - Controladora: Samsung Elpis - NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Velocidade Sequencial Leitura: Até 7,000 MB/s - Velocidade Sequencial Escrita: Até 5,000 MB/s - Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS - Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS - TBW: 600 TBW
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Caraterísticas - Capacidade: 4 TB - Formato: 2.5" - Interface: SATA 6 Gb/s, compatível com a interface SATA 3 Gb/s e SATA 1.5 Gb/s - NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC - Controlador: Samsung MKX Controller - Memória Cache: Samsung 4 GB Low Power DDR4 SDRAM - Velocidade sequencial leitura: Até 560 MB/s - Velocidade sequencial escrita: Até 530 MB/s - Leitura aleatória (4 KB, QD32): Até 98000 IOPS - Escrita aleatória (4 KB, QD32): Até 88000 IOPS - Endurance: 2400 TBW - Criptografia: Criptografia AES 256-bit (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive) - Dimensões do produto: 100 x 69.85 x 6.8 mm (WxHxD)
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Caraterísticas - Capacidade: 250 GB - Formato: M.2 2280 - Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 - Cache: HMB(Host Memory Buffer) - Controladora: Samsung Pablo Controller - NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Velocidade Sequencial Leitura: Até 2,900 MB/s - Velocidade Sequencial Escrita: Até 1,300 MB/s - Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 230,000 IOPS - Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 320,000 IOPS - TBW: 150 TBW
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Caraterísticas - Capacidade: 1 TB - Formato: M.2 2280 - Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4 - Cache: HMB(Host Memory Buffer) - Controladora: Samsung Pablo Controller - NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Velocidade Sequencial Leitura: Até 3,500 MB/s - Velocidade Sequencial Escrita: Até 3,000 MB/s - Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 500,000 IOPS - Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 480,000 IOPS - TBW: 600 TBW
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205 €
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Caraterísticas - Capacidade: 120 GB - Formato: 2.5" - Interface: Serial ATA III - Velocidade de leitura: 550 MB / s - Velocidade de escrita: 540 MB / s - Tempo médio entre falhas (MTBF): 2000000 h - Leitura aleatória (4KB): 38000 IOPS - Gravação aleatória (4KB): 85000 IOPS
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Capacidade: 512GB Formato: M.2 2280 Interface: PCIe 3.0 x4, NVMe 1.3 Cache: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM Controladora: Samsung Phoenix NAND: Samsung V-NAND 2-bit MLC Velocidade Sequencial Leitura: Até 3500MB/s Velocidade Sequencial Escrita: Até 2300MB/s Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 370,000 IOPS Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 500,000 IOPS TBW: 600 TBW
99 €
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vendo m2 novos pode comprovar no HDsentinel. tenho 3 em stock preço e por unidade. garantia da marca 5 years or 300 TB TBW Capacidade:500GB Interface PCIe Gen3.0 x 4, NVMe 1.3 Form factor:M.2 (2280) NAND flash memory:V-NAND 3-bit MLC Velocidade de Leitura Sequencial Até 3500 Mb/s Velocidade de Escrita Sequencial Até 3300 Mb/s
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Disco Samsumg SSD M.2 980 Pro 1TB MLC V-NAND NVMe Caraterísticas - Capacidade: 1 TB - Formato: M.2 2280 - Interface: PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c - Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM - Controladora: Samsung Elpis - NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Velocidade Sequencial Leitura: Até 7,000 MB/s - Velocidade Sequencial Escrita: Até 5,000 MB/s - Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS - Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS - TBW: 600 TBW
100 €
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Vendo disco interno SSD M.2 NVMe como novo e ainda com garantia. Características: Velocidade leitura: 3400 MB/s Velocidade escrita: 2300 MB/s Capacidade: 500GB Formato: M.2 (2280) Interface: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 Memória de armazenamento: Samsung V-NAND 3-bit MLC Controlador: Samsung Phoenix Memória cache: 512MB DDR4 Suporte TRIM: sim Suporte S.M.A.R.T: sim Suporte de Encriptação: AES 256-bit Leitura aleatória (4KB, QD32): 370,000 IOPS Escrita aleatória (4KB, QD32): 450,000 IOPS Fiabilidade (MTBF): 1,5 milhões de horas TBW: 300
65 €
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Cartão OCZ Toshiba NVM Express de alta performance. Torne o seu portátil em ultra rápido. Tipo MLC de alta pergormance. Velocidade 32GT/s(PCIe Gen 3x4L)
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